存储单元、像素结构以及存储单元的制造方法
专利权的终止
摘要

一种存储单元,此存储单元适于设置于基板上,且此存储单元包括岛状多晶硅层、第一介电层、浮获层、第二介电层以及控制栅极。其中,岛状多晶硅层设置于基板上,且岛状多晶硅包括源极掺杂区、漏极掺杂区以及位于源极掺杂区与漏极掺杂区之间的通道区,且该通道区的表面上具有多个规律排列的尖端。第一介电层设置于岛状多晶硅层上,浮获层设置于第一介电层上,而第二介电层设置于浮获层上,且控制栅极设置于第二介电层上。上述存储单元可整合在低温多晶硅液晶显示面板或有机发光二极管显示面板的制造中。

基本信息
专利标题 :
存储单元、像素结构以及存储单元的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1967362A
申请号 :
CN200510123233.1
公开(公告)日 :
2007-05-23
申请日 :
2005-11-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈宏泽陈麒麟陈昱丞
申请人 :
财团法人工业技术研究院
申请人地址 :
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
王永红
优先权 :
CN200510123233.1
主分类号 :
G02F1/1362
IPC分类号 :
G02F1/1362  H01L29/786  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
G02F1/136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元
G02F1/1362
有源矩阵寻址单元
法律状态
2018-11-02 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G02F 1/1362
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20171115
2009-01-14 :
授权
2007-07-18 :
实质审查的生效
2007-05-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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