显示器用存储单元、像素结构以及存储单元的制造方法
专利权的终止
摘要
一种存储单元，此存储单元适于设置于基板上，且此存储单元包括岛状多晶硅层、第一介电层、阻陷层、第二介电层以及控制栅极。其中，岛状多晶硅层设置于基板上，且岛状多晶硅包括源极掺杂区、漏极掺杂区以及位于源极掺杂区与漏极掺杂区之间的通道区。第一介电层设置于岛状多晶硅层上，阻陷层设置于第一介电层上，而第二介电层设置于阻陷层上，且控制栅极设置于第二介电层上。上述之存储单元可整合在低温多晶硅液晶显示面板或有机发光二极管显示面板的制作中。
基本信息
专利标题 ：
显示器用存储单元、像素结构以及存储单元的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953207A
申请号 ：
CN200510109542.3
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈宏泽陈麒麟陈昱丞陈纪文张鼎张
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
包红健
优先权 ：
CN200510109542.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/02 H01L21/336 H01L21/82
法律状态
2018-10-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20171021
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20171021
2009-03-11 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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