像素结构及像素结构的制造方法
实质审查的生效
摘要
一种像素结构(2003)及像素结构(2003)的制造方法，像素结构(2003)包括：调制栅极组，调制栅极组包括：设置在衬底(201)第一表面(2011)的至少一个第一调制栅极(PGA)和至少一个第二调制栅极(PGB)，第二调制栅极(PGB)和第一调制栅极(PGA)分别被互补调制；以及衬底(201)，包括：两个载流子存储区域，分别在第一方向上位于衬底(201)的两侧，第一方向为平行于第一表面(2011)的方向；以及载流子收集区域(202)，在第一方向上位于两个载流子存储区域之间，且与调制栅极组接触于第一表面(2011)，其中载流子收集区域(202)与两个载流子存储区域的掺杂类型相同，载流子收集区域(202)与衬底(201)的掺杂类型相反，载流子收集区域(202)的掺杂浓度大于衬底(201)的掺杂浓度。
基本信息
专利标题 ：
像素结构及像素结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114287060A
申请号 ：
CN201980099784.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施琛潘撼巩啸风唐样洋
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
申健
优先权 ：
CN201980099784.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01B11/14 H01L31/0224
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20190910
申请日 : 20190910
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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