半穿透半反射式像素结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种半穿透半反射式像素结构的制造方法，其包括下列步骤：首先，提供一基板。接着，于基板上形成一有源元件。然后，于基板上形成一保护层以覆盖住有源元件。接着，于保护层上形成一图案化介电层以覆盖住保护层的部分区域。之后，于图案化介电层的部分区域上形成一图案化反射层。接着，至少以图案化介电层为掩模，并移除未被图案化介电层所覆盖住的保护层，以暴露出有源元件。最后，于图案化反射层以及图案化介电层上形成一与有源元件电连接的像素电极。上述的半穿透半反射式像素结构的制造时间较短，且制造成本较低。

基本信息

专利标题：

半穿透半反射式像素结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1776511A

申请号：

CN200510126991.9

公开（公告）日：

2006-05-24

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王薇雅林惠芬黄国有林堃裕

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510126991.9

主分类号：

G02F1/136

IPC分类号：

G02F1/136 G03F7/20 H01L21/027