像素阵列基板的制造方法
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摘要

一种像素阵列基板的制造方法,首先在一基板上形成多个栅极、多条扫描线、多个数据线图案及多个像素电极图案。之后在栅极上方形成多个通道,并形成暴露出数据线图案的多个接触孔开口。随后在接触孔开口中形成与数据线图案电性连接的多个接触孔。之后形成与接触孔电性连接的多个连接部、与数据线图案电性连接的多个源极以及与像素电极电性连接的多个漏极。其中,位于相同一行的数据线图案是通过连接部以及接触孔而彼此电性连接,以构成一数据线。如此,可改善数据信号传送延迟的现象,并使像素阵列基板具有较低的制作成本。

基本信息
专利标题 :
像素阵列基板的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1845310A
申请号 :
CN200610058401.8
公开(公告)日 :
2006-10-11
申请日 :
2006-03-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
施明宏
申请人 :
广辉电子股份有限公司
申请人地址 :
台湾省桃园县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
董惠石
优先权 :
CN200610058401.8
主分类号 :
H01L21/84
IPC分类号 :
H01L21/84  H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的,例如绝缘体
法律状态
2008-05-07 :
授权
2007-12-26 :
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 广辉电子股份有限公司
变更后权利人 : 友达光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 台湾省桃园县
变更后权利人 : 台湾省新竹市
登记生效日 : 20071123
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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