尖沟槽像素阵列基板及相关制造方法
公开
摘要
提供了一种尖沟槽像素阵列基板和一种用于制造像素阵列基板的方法。尖沟槽像素阵列基板包括在半导体基板中形成的浮动扩散区域和光电二极管区域。所述半导体基板在其顶表面和背表面之间包括侧壁表面和底表面，侧壁表面和底表面限定出从围绕所述沟槽的所述顶表面的平面区域延伸到所述半导体基板中的沟槽。在垂直于所述顶表面并与所述浮动扩散区域、所述光电二极管区域和所述沟槽相交的横截面中，(i)所述底表面呈V形并且(ii)所述沟槽位于所述浮动扩散区域和所述光电二极管区域之间。
基本信息
专利标题 ：
尖沟槽像素阵列基板及相关制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497094A
申请号 ：
CN202111176366.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
臧辉陈刚
申请人 ：
豪威科技股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋融冰
优先权 ：
CN202111176366.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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