像素结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种像素结构的制造方法，其先在基板上形成栅极、与栅极电连接之扫描线以及在基板之边缘处与扫描线电连接的第一端子部。在基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极、扫描线与第一端子部。在栅极上方之栅绝缘层上定义出半导体层。图案化栅绝缘层以暴露出第一端子部。在基板上形成透明导电层。在透明导电层上形成图案化光刻胶层。之后，利用图案化光刻胶层为掩膜而图案化透明导电层，以定义出源极、漏极、与源极电连接的数据线、与漏极电连接的像素电极、与数据线电连接的第二端子部以及与第一端子部电连接之接触垫。由于上述之像素结构的制造方法只需使用四道光刻掩膜，因此可以降低制造成本。

基本信息

专利标题：

像素结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101000896A

申请号：

CN200610000990.4

公开（公告）日：

2007-07-18

申请日：

2006-01-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

苏大荣施雅钟苏正芳

申请人：

中华映管股份有限公司

申请人地址：

台湾省台北市中山北路三段二十二号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

优先权：

CN200610000990.4

主分类号：

H01L21/84

IPC分类号：

H01L21/84 H01L27/12 G02F1/1368