像素结构的制作方法

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摘要

一种像素结构的制作方法，包括：在一基板上形成一第一导体层；利用一第一光掩膜图案化此第一导体层，以形成一栅极；在基板上形成一介电层，以覆盖栅极；在介电层上依序形成一半导体材料层与一第二导体层；利用一第二光掩膜图案化第二导体层，以形成一像素电极；再次利用第一光掩膜在基板上形成一图案化光刻胶层，以保护栅极上方的半导体材料层；以像素电极与图案化光刻胶层为掩膜图案化半导体材料层，以形成一半导体层；移除图案化光刻胶层；在基板上形成一第三导体层；利用一第三光掩膜图案化第三导体层，以形成一源极/漏极，其中漏极电性连接于像素电极。该方法节省了制作光掩膜的费用，缩短了像素结构的制作时间及成本，进而提供了生产良率。

基本信息

专利标题：

像素结构的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828872A

申请号：

CN200610003382.9

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-02-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李奕纬朱庆云

申请人：

广辉电子股份有限公司

申请人地址：

台湾省桃园县

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

优先权：

CN200610003382.9

主分类号：

H01L21/84

IPC分类号：

H01L21/84 G02F1/136