像素结构的制作方法
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摘要
一种像素结构的制作方法，其步骤包括利用一第一掩模于一基板上形成一源极/漏极；重复利用两次一第二掩模于基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中透明导电层覆盖部分源极/漏极，并电性连接于源极/漏极，且透明导电层的图案与沟道层的图案成互补；在基板上形成一介电层，以覆盖透明导电层与沟道层；利用一第三掩模于介电层上形成一栅极。如此，像素结构具有较低的制作成本。
基本信息
专利标题 ：
像素结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832137A
申请号 ：
CN200610058229.6
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李奕纬朱庆云
申请人 ：
广辉电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省桃园县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN200610058229.6
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2008-04-09 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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