像素结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种像素结构，包括形成在栅极电极层上的一栅极线和第一浮接金属电极；形成在半导体层上的第一半导体电极和第二半导体电极；以及形成在源极/漏极电极层上的一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该数据线上形成有一源极凸起部，该漏极电极上形成有一漏极凸起部；其中，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。本实用新型的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。

基本信息

专利标题：

像素结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820154051.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-15

授权号：

CN201289850Y

授权日：

2009-08-12

发明人：

高孝裕

申请人：

上海广电光电子有限公司

申请人地址：

200233上海市徐汇区宜山路757号三楼

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司

代理人：

白璧华

优先权：

CN200820154051.X

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L23/522 H01L29/786 H01L29/41 H01L29/417 G02F1/13 G02F1/1368