薄膜晶体管、像素结构及像素结构之修补方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种像素结构,其包括扫描线、栅极图案、第一介电层、通道层、源极、漏极、数据线、第二介电层与像素电极。其中,栅极图案会与扫描线电连接,且栅极图案中形成有开口,而第一介电层覆盖扫描线与栅极图案并填满开口。此外,通道层设置于第一介电层上,而源极与漏极设置在通道层上。其中,漏极位于开口的上方。另外,源极与数据线电连接,且像素电极会与漏极电连接。因此,在本发明中,具有开口之栅极图案与漏极之间的重叠区域面积大小可维持不变,因而使栅极-漏极寄生电容保持不变,进而提高液晶显示器的显示质量,且本发明之像素结构的修补方法,可使有缺陷的像素修补成暗点。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管、像素结构及像素结构之修补方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1959984A
申请号 :
CN200510115564.0
公开(公告)日 :
2007-05-09
申请日 :
2005-11-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邹元昕何建国
申请人 :
中华映管股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台北市中山北路三段二十二号
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
陈亮
优先权 :
CN200510115564.0
主分类号 :
H01L27/00
IPC分类号 :
H01L27/00  H01L23/522  H01L29/786  H01L21/82  H01L21/768  H01L21/336  G02F1/133  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2016-12-28 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101743940761
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL2005101155640
登记生效日 : 20161205
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 浩智无形资产管理投资有限公司
变更后权利人 : 武汉华星光电技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 马绍尔群岛马久罗阿杰泰克岛阿杰泰克路信托公司综合区MH96960
变更后权利人 : 湖北省武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
2016-09-07 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101738489755
IPC(主分类) : H01L 27/00
专利号 : ZL2005101155640
登记生效日 : 20160816
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中华映管股份有限公司
变更后权利人 : 浩智无形资产管理投资有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾台北市中山北路三段二十二号
变更后权利人 : 马绍尔群岛马久罗阿杰泰克岛阿杰泰克路信托公司综合区MH96960
2008-12-17 :
授权
2007-07-04 :
实质审查的生效
2007-05-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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