像素结构的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明公开了一种像素结构的制造方法,包括:提供一基板,而在基板上已形成一扫描配线、一数据配线与一有源元件,其中有源元件与扫描配线及数据配线电性连接;在基板上形成介电层,然后在介电层上形成图案化光刻胶层,其中图案化光刻胶层具有一第一贯孔与多个第一凹陷,且第一贯孔暴露出部分介电层;以图案化光刻胶层为遮罩,移除部分介电层,以形成图案化介电层,其中图案化介电层具有一第二贯孔与多个第二凹陷,且第二贯孔暴露出部分有源元件,然后移除图案化光刻胶层;在图案化介电层上形成反射层,其中反射层覆盖第二凹陷,且反射层与有源元件电性连接。本发明的第二凹陷的深度与轮廓可以获得相当的控制,反射层不易产生断裂的现象。

基本信息
专利标题 :
像素结构的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828871A
申请号 :
CN200610003300.0
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2006-02-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姚启文
申请人 :
广辉电子股份有限公司
申请人地址 :
台湾省桃园县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
董惠石
优先权 :
CN200610003300.0
主分类号 :
H01L21/84
IPC分类号 :
H01L21/84  G02F1/1362  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的,例如绝缘体
法律状态
2008-12-10 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-26 :
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 广辉电子股份有限公司
变更后权利人 : 友达光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 台湾省桃园县
变更后权利人 : 台湾省新竹市
登记生效日 : 20071123
2006-10-25 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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