薄膜晶体管阵列及其修补方法
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管阵列，包括基板、多个薄膜晶体管以及多个像素电极。这些薄膜晶体管是分别设置于基板上的像素区域内，且每一个薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极与漏极。栅极设置于基板上，并具有控制部、连接部以及电容补偿部，且连接部是连接于控制部与电容补偿部之间。漏极的一端与栅极的控制部间具有第一重叠区域而诱发第一寄生电容，漏极的另一端与栅极的电容补偿部间则是具有第二重叠区域而诱发第二寄生电容。在各个像素区域内，第一寄生电容与第二寄生电容之和为定值。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管阵列及其修补方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101030583A
申请号 ：
CN200610058322.7
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘文雄
申请人 ：
中华映管股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省台北市中山北路三段二十二号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈亮
优先权 ：
CN200610058322.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L23/525 H01L21/84 H01L21/768 G02F1/1362
法律状态
2013-04-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101442521410
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2006100583227
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20120301
号牌文件序号 : 101442521410
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2006100583227
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20120301
2009-06-17 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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