薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法。多晶硅层包括多晶硅薄膜晶体管的多晶硅部。第一导体层包括多晶硅薄膜晶体管的第一栅极电极部。第一绝缘体层包括位于第一栅极电极部和多晶硅部之间的第一绝缘体部。氧化物半导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体部。第二导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极电极部。第二绝缘体层包括位于第二栅极电极部与氧化物半导体部之间的第二绝缘体部。第二绝缘体层具有不小于8的相对介电常数。第二绝缘体层的整个区域被第二导体层覆盖。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512497A
申请号 ：
CN202111287229.4
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹知和重
申请人 ：
武汉天马微电子有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路8号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志华
优先权 ：
CN202111287229.4
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/77 H01L27/32
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20211102
申请日 : 20211102
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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