制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，能提高有机半导体层的图案化精度并简化图案化工艺。该方法包括在基板上形成有机绝缘薄膜和在该有机绝缘薄膜中形成具有第一和第二凹入部分以及第三凹入部分的梯段，该第三凹入部分形成在第一和第二凹入部分上。该方法进一步包括在第一和第二凹入部分中形成源电极和漏电极和在第三凹入部分中形成有源层，有源层接触源电极和漏电极。
基本信息
专利标题 ：
制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832220A
申请号 ：
CN200610056757.8
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐旼徹具在本
申请人 ：
三星SDI株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗正云
优先权 ：
CN200610056757.8
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/40 H01L29/786 H01L21/336 H01L27/32 H01L27/15
相关图片
法律状态
2012-11-07 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101459030234
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利号 : ZL2006100567578
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120928
号牌文件序号 : 101459030234
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利号 : ZL2006100567578
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120928
2010-07-28 ：
授权
2009-02-04 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20090109
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20090109
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.02.08 KR 10-2006-0012088
号 : 37
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.02.08 KR 10-2006-0012088
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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