图形化有机薄膜的方法、晶体管及制造方法、显示装置

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摘要

提供了一种图形化有机薄膜的方法，其能够防止有机半导体层的表面损伤。此外，提供了一种能够减小截止电流并能防止有机半导体层的表面损伤的有机薄膜晶体管和制造该有机薄膜晶体管的方法，以及具有该有机薄膜晶体管的有机电致发光显示装置。图形化有机薄膜的该方法包括在衬底上形成该有机薄膜；选择性地将掩模材料印制在该有机薄膜的一部分上；利用掩模材料干法刻蚀该有机薄膜的暴露部分；以及除去掩模材料。

基本信息

专利标题：

图形化有机薄膜的方法、晶体管及制造方法、显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848477A

申请号：

CN200610067373.6

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2006-03-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐旼彻具在本

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200610067373.6

主分类号：

H01L51/40

IPC分类号：

H01L51/40 H01L51/05 H01L27/32