有机薄膜晶体管及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种有机薄膜晶体管，其包括基板、栅极、栅介电层、源极、漏极以及有机半导体层。栅极设置于基板上，而栅极具有一个顶面与两个侧壁。栅介电层全面且连续地覆盖基板与栅极的顶面与侧壁。源极设置于栅极顶面的栅介电层上且漏极设置于栅极旁的栅介电层上，或源极设置于栅极旁的栅介电层上且漏极设置于栅极顶面的栅介电层上。有机半导体层全面且连续地覆盖源极与漏极，其中位于侧壁上的有机半导体层是作为通道而电连接源极与漏极。此有机薄膜晶体管的结构可有效地提高元件操作特性与驱动能力。

基本信息

专利标题：

有机薄膜晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979911A

申请号：

CN200510127715.4

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

冉晓雯颜国锡柯杰斌吴泉毅

申请人：

中华映管股份有限公司

申请人地址：

台湾省台北市中山北路三段二十二号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

优先权：

CN200510127715.4

主分类号：

H01L51/05

IPC分类号：

H01L51/05 H01L51/40