薄膜晶体管、其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示装置

授权

摘要

本发明提供薄膜晶体管、其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基板上的氧化物半导体层；栅极，其与上述氧化物半导体层绝缘，与上述氧化物半导体层重叠至少一部分；源极，其与上述氧化物半导体层连接；以及漏极，其与上述源极隔开，与上述氧化物半导体层连接，其中，上述氧化物半导体层包括上述基板上的第一氧化物半导体层以及上述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，以原子数为基准，上述第一氧化物半导体层包括1至5原子％浓度的氮，上述第二氧化物半导体层具有比上述第一氧化物半导体层低的氮浓度，并且具有越靠近上述栅极越低的氮浓度的梯度。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、其制造方法及包括该薄膜晶体管的显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110034191A

申请号：

CN201811510684.4

公开（公告）日：

2019-07-19

申请日：

2018-12-11

授权号：

CN110034191B

授权日：

2022-04-08

发明人：

卢智龙张宰满白朱爀尹弼相

申请人：

乐金显示有限公司

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

金玲

优先权：

CN201811510684.4

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/34 H01L29/423