薄膜晶体管,其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管,其制造方法,包括该薄膜晶体管的平板显示装置。薄膜晶体管包括:栅电极;与该栅电极绝缘的源电极和漏电极;有机半导体层,它与该栅电极绝缘,而与源电极和漏电极电连接;绝缘层,它使栅电极与源电极和漏电极或有机半导体层绝缘;以及沟道形成促进层,它连接有机半导体层的沟道区的相对区域,并且含有带有官能团的化合物,它将向沟道区的相对区域移动的电荷固定在该沟道区的相对区域。因此,该薄膜晶体管具有低阈电压和极好的电荷迁移率。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管,其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1841807A
申请号 :
CN200610008937.9
公开(公告)日 :
2006-10-04
申请日 :
2006-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
安泽具在本徐旼彻
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
韦欣华
优先权 :
CN200610008937.9
主分类号 :
H01L51/05
IPC分类号 :
H01L51/05  H01L51/30  H01L51/40  
法律状态
2011-05-25 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101093283026
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利申请号 : 2006100089379
公开日 : 20061004
2009-03-04 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20090206
2008-02-06 :
实质审查的生效
2006-10-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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