多层薄膜、包括该多层薄膜的薄膜晶体管阵列面板，以及制造该...
专利权的终止
摘要
提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：半导体层；在半导体层上的第一绝缘层；包括第一非晶硅层和金属的栅极线；覆盖栅极线的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上的第二数据线。通过提供具有良好粘接性的非晶硅层，可以形成信号线的各种锥形结构。金属层和非晶硅层之间的粘接性可以通过进行热处理工艺来提高，从而可以减小其间的接触电阻。相应地，可以提高TFT的特性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
多层薄膜、包括该多层薄膜的薄膜晶体管阵列面板，以及制造该面板的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862789A
申请号 ：
CN200510048858.6
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑震九柳春基
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
戎志敏
优先权 ：
CN200510048858.6
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/768 H01L21/28 H01L27/12 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2021-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20201231
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20201231
2013-01-02 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101491216496
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005100488586
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121130
号牌文件序号 : 101491216496
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005100488586
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121130
2010-06-16 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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