薄膜晶体管基底、显示装置及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管(“TFT”)基底，该TFT基底包括：栅极线，形成在底基底上；数据线，与栅极线绝缘；TFT，形成在栅极线和数据线之间的交叉处。栅极线的线宽度比数据线的线宽度大。数据线包括：第一数据线，与栅极线绝缘并交叉；第二数据线，与第一数据线交叉并具有与第一数据线连接的端部。另外，TFT的漏极与数据线分开预定间隔。本发明还公开了一种包括该TFT基底的显示装置及制造该TFT基底的方法。因此，可制备本发明来抵抗在制造使用柔性基底的LCD装置的过程期间由于基底的膨胀或收缩产生的偏差。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管基底、显示装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1901204A

申请号：

CN200610065373.2

公开（公告）日：

2007-01-24

申请日：

2006-03-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

吴浚鹤徐宗铉

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

郭鸿禧

优先权：

CN200610065373.2

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L23/522 H01L21/84 H01L21/768 G02F1/136