薄膜晶体管基底、显示设备和制造薄膜晶体管基底的方法
公开
摘要
提供一种在不增加掩模工艺数量的情况下具有改善的诸如薄膜晶体管的截止电流特性的电气特性的薄膜晶体管基底、一种显示设备以及一种制造薄膜晶体管基底的方法。所述薄膜晶体管基底包括：半导体层，所述半导体层包括第一导电区、第二导电区和第一半导体区；下电极，所述下电极设置在所述半导体层上并且与所述第一半导体区至少部分重叠；以及上电极，所述上电极设置在所述下电极上并且与所述第一半导体区至少部分重叠，所述第一半导体区与所述第一导电区之间的第一边界与所述上电极的第一边缘重合，并且所述第一半导体区与所述第二导电区之间的第二边界与所述下电极的边缘或所述上电极的第二边缘重合。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基底、显示设备和制造薄膜晶体管基底的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566541A
申请号 ：
CN202111426288.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金根佑
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道龙仁市
代理机构 ：
北京钲霖知识产权代理有限公司
代理人 ：
李英艳
优先权 ：
CN202111426288.5
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/786 H01L21/77 H01L27/12 H01L27/32
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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