薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法

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摘要

本发明涉及薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法。本发明提供一种具有低寄生电容和高可靠性的氧化物半导体薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：基板；包括沟道区域、源极区域及漏极区域的氧化物半导体层；栅极绝缘膜；以及栅极电极。所述栅极绝缘膜包括一层或两层，栅极绝缘膜的至少一层是位于与所述源极电极及所述漏极电极分离的位置上的图案化栅极绝缘膜。所述图案化栅极绝缘膜的下表面在沟道长度方向上的长度比所述栅极电极的下表面在沟道长度方向上的长度长。所述图案化的栅极绝缘膜的下表面在沟道长度方向上的长度比所述沟道区域在沟道长度方向上的长度长。所述源极区域和所述漏极区域的氢浓度比所述沟道区域的氢浓度高。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、显示装置及薄膜晶体管的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107017287A

申请号：

CN201610907445.7

公开（公告）日：

2017-08-04

申请日：

2016-10-18

授权号：

CN107017287B

授权日：

2022-05-06

发明人：

田中淳

申请人：

NLT科技股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司

代理人：

黄志华

优先权：

CN201610907445.7

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/49 H01L29/51 H01L29/786 H01L21/28 H01L21/34