薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件
实质审查的生效
摘要
本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其中，源极与半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，在漏极和半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，通过设置第一绝缘界面层和第二绝缘界面层，能够使得源漏极与半导体层之间形成肖特基势垒，从而形成了肖特基势垒TFT，同时无需额外沉积绝缘层，使得器件成本低廉、可靠性好，并通过形成肖特基势垒能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284362A
申请号 ：
CN202111611837.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡诗犇龚政庞超李育智郭婵王建太潘章旭邹胜晗赵维陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
宋南
优先权 ：
CN202111611837.6
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/34
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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