薄膜晶体管基板及其制备方法

授权

摘要

本申请涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法，该薄膜晶体管基板包括：基底；栅极，形成于基底上；绝缘层，覆盖栅极；有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层形成于绝缘层上，第二氧化物半导体层叠设于第一氧化物半导体层上，第一氧化物半导体层的含氧量高于第二氧化物半导体层的含氧量；以及源极和漏极，形成于第二氧化物半导体层上。在本申请中，有源层包括含氧量相对较高的第一氧化物半导体层和含氧量相对较低的第二氧化物半导体层，可以同时提高沟道区的电子传输能力和降低有源层与绝缘层之间的界面态密度。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管基板及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110061011A

申请号：

CN201910225425.5

公开（公告）日：

2019-07-26

申请日：

2019-03-25

授权号：

CN110061011B

授权日：

2022-04-05

发明人：

孙松

申请人：

北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司

申请人地址：

广西壮族自治区北海市工业园北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司二期A座4楼A-430室

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

熊文杰

优先权：

CN201910225425.5

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L29/786 H01L21/77