薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
授权
摘要
本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、以及漏极，其中，所述栅极、所述源极、以及所述漏极中的至少其中之一为一复合膜层，所述复合膜层包括依次层叠设置的金属层、低反功能层以及合金层。所述合金层覆盖于所述低反功能层表面可以增强所述低反功能层的稳定性，由于所述合金层是与氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等介电层之间的附着力相较于低反功能层更强，在高温环境下，也不易出现鼓包现象，进而可以防止所述复合膜层表面的氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等介电层的脱落问题，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112635554A
申请号 ：
CN202011577558.8
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
CN112635554B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
胡小波
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
远明
优先权 ：
CN202011577558.8
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L29/786 H01L21/336 H01L27/12 G02F1/1362 G02F1/1368
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法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/49
申请日 : 20201228
申请日 : 20201228
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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