薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
授权
摘要
本公开涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。该薄膜晶体管包括：衬底；有源层，设置在所述衬底上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极层，设置在所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设置在所述衬底、所述有源层以及所述栅极层上；源漏金属层，设置在所述层间绝缘层上；第一过渡层，设置于所述有源层与所述源漏金属层之间；第二过渡层，设置于所述栅极层的侧面。本公开的技术方案能够减小寄生电阻，减小信号延迟。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108447916A
申请号 ：
CN201810213446.0
公开（公告）日 ：
2018-08-24
申请日 ：
2018-03-15
授权号 ：
CN108447916B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王国英宋振
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王卫忠
优先权 ：
CN201810213446.0
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/34
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法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-09-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20180315
申请日 : 20180315
2018-08-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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