一种薄膜晶体管基板及其制备方法

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摘要

本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，采用核壳结构的纳米点作为遮光层，由于纳米核壳遮光层导电性差，不会与漏极产生电容耦合效应，可以省去为了将源极层和金属遮光层连接引入的两道黄光制程，从而减少了光罩的数量，降低了成本；另一方面，纳米核壳遮光层可以吸收短波光并将短波光转变为长波光，短波漏光不会在栅电极与遮光层之间来回反射，减少了漏光在有源层中多次反射造成的阈值电压负偏。

基本信息

专利标题：

一种薄膜晶体管基板及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110797349A

申请号：

CN201910975997.5

公开（公告）日：

2020-02-14

申请日：

2019-10-15

授权号：

CN110797349B

授权日：

2022-04-05

发明人：

张乐陶张良芬张晓星

申请人：

深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请人地址：

广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

李汉亮

优先权：

CN201910975997.5

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L27/32 H01L51/52