薄膜晶体管基板修复方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管基板修复方法，该薄膜晶体管基板包括多个栅极线、多个与该栅极线相交的数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极、源极、漏极分别与该栅极线、该数据线和该像素电极电连接，该栅极线上存在一处电连接缺陷，该修复方法包括如下步骤：切断该电连接缺陷点两端的二薄膜晶体管的源极与该数据线的电连接；将与该二薄膜晶体管相应的二像素电极与该栅极线电连接；将该二像素电极电连接。采用本方法对薄膜晶体管基板进行修复，可节约成本。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管基板修复方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959961A
申请号 ：
CN200510100958.9
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李庆华
申请人 ：
群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请人地址 ：
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510100958.9
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/768 G02F1/1362
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2012-02-01 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101274722728
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利申请号 : 2005101009589
公开日 : 20070509
号牌文件序号 : 101274722728
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利申请号 : 2005101009589
公开日 : 20070509
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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