薄膜晶体管阵列基板

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括一绝缘基板、交叉排列的栅极线和数据线、形成于栅极线和数据线交叉位置的薄膜晶体管、由栅极线和数据线分隔区域限定的像素电极，所述栅极线形成于第一金属层、所述数据线形成于第二金属层，所述像素电极形成于透明导电层，其中，所述栅极线和/或数据线呈断续状分布，所述第一金属层还形成有栅极接垫，所述第二金属层还形成有数据接垫，所述透明导电层还形成有和所述栅极接垫和/或数据接垫电接触的透明电极。本实用新型提供的薄膜晶体管阵列基板通过透明电极和接垫连接断续的栅极线、数据线，可把光罩数减少到三个，降低成本。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820152768.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-09-05

授权号：

CN201251667Y

授权日：

2009-06-03

发明人：

秦丹丹

申请人：

上海广电光电子有限公司

申请人地址：

200233上海市徐汇区宜山路757号三楼

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司

代理人：

白璧华

优先权：

CN200820152768.0

主分类号：

G02F1/1362

IPC分类号：

G02F1/1362 H01L27/12 H01L21/84