薄膜晶体管阵列基板

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种薄膜晶体管阵列基板，包括一基板；多条栅线与多条数据线，配置于基板上，且这些栅线与数据线相交以定义多个像素区域；多个像素结构，配置于基板上的各像素区域中，其中各像素结构包括一薄膜晶体管和一像素电极，薄膜晶体管的源极通过接触孔电性连接所述像素电极，薄膜晶体管的漏极位于栅线与数据线的交叉部。由于本实用新型的薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管的漏极和栅线和数据线的交叉部共用，这种结构能够减小栅线和数据线的耦合电容，从而降低栅线和数据线的信号延迟。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820055869.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-03-03

授权号：

CN201174385Y

授权日：

2008-12-31

发明人：

田广彦

申请人：

上海广电光电子有限公司

申请人地址：

200233上海市徐汇区宜山路757号三楼

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

优先权：

CN200820055869.6

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L23/522 G02F1/1362