薄膜晶体管与薄膜晶体管阵列基板

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管，其包括栅极、栅绝缘层、通道层、螺旋状源极以及螺旋状漏极。栅绝缘层覆盖栅极。通道层设置于栅极上方的栅绝缘层上。螺旋状源极设置于栅极上方的通道层上，螺旋状漏极设置于栅极上方的通道层上，且螺旋状源极与螺旋状漏极是以相互绕旋的状态而设置。通过螺旋状源极与螺旋状漏极的设计，能够提高通道W/L比，且能降低栅极－漏极寄生电容C_gd。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管与薄膜晶体管阵列基板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101030603A

申请号：

CN200610057880.1

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2006-03-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

涂志中

申请人：

中华映管股份有限公司

申请人地址：

台湾省台北市中山北路三段二十二号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

优先权：

CN200610057880.1

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L27/12

法律状态

2021-02-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20100106
终止日期 : 20200303

2010-01-06 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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