薄膜晶体管、其制造方法以及使用薄膜晶体管的平板显示器
发明专利申请公布后的驳回
摘要

一种薄膜晶体管,一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层,其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管、其制造方法以及使用薄膜晶体管的平板显示器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979910A
申请号 :
CN200510121739.9
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-12-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
徐旼彻具在本牟然坤安泽郑棕翰
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
刘健
优先权 :
CN200510121739.9
主分类号 :
H01L51/05
IPC分类号 :
H01L51/05  H01L51/30  H01L51/40  H01L27/32  
法律状态
2014-12-10 :
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101708437942
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利申请号 : 2005101217399
申请公布日 : 20070613
2012-11-14 :
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101464343942
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利申请号 : 2005101217399
变更事项 : 申请人
变更前 : 三星移动显示器株式会社
变更后 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道水原市
变更后 : 韩国京畿道水原市
2009-03-04 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
登记生效日 : 20090206
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
2008-01-30 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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