薄膜晶体管及其制造方法,平板显示器及其制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

提供了一种具有TFT的塑料衬底的制造方法,一种根据该方法制造的衬底,一种平板显示器的制造方法以及一种根据该方法制造的平板显示器,可以被用到柔性平板显示器上。该方法包括:制备包括多个导电图案的薄膜;粘结该薄膜到衬底上;将TFT电连接到薄膜上的导电图案;在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管及其制造方法,平板显示器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1848391A
申请号 :
CN200510119172.1
公开(公告)日 :
2006-10-18
申请日 :
2005-11-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金民圭具在本牟然坤申铉秀
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
韦欣华
优先权 :
CN200510119172.1
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  H01L51/40  H01L51/05  H01L21/8234  H01L29/786  H01L27/32  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2012-11-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101464343917
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101191721
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星移动显示器株式会社
变更后 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道水原市
变更后 : 韩国京畿道水原市
2009-09-23 :
授权
2009-02-18 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20090116
2007-12-05 :
实质审查的生效
2006-10-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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