薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的平板显示器以及制造薄膜晶体管和平板显示器的方法

薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的平板显示器以及制造薄膜晶体管...

授权

摘要

披露一种提供与半导体层形成图案相同的结果的具有转变区域的薄膜晶体管、一种具有薄膜晶体管的平板显示器和一种用于制造薄膜晶体管和平板显示器的方法。薄膜结构包括门电极；源电极和漏电极，每个电极与门电极隔离；以及连接到源电极和漏电极上的有机半导体层。有机半导体层包括具有不同于沟道区周围的晶体结构的晶体结构的转变区域。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的平板显示器以及制造薄膜晶体管和平板显示器的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819299A

申请号：

CN200510135849.0

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2005-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨南喆金慧东徐旼彻具在本李尚旻李宪贞

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

温大鹏

优先权：

CN200510135849.0

主分类号：

H01L51/05

IPC分类号：

H01L51/05 H01L27/32 H01L51/40 H01L21/82