薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板

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摘要

提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和绝缘层。半导体层包括源电极、漏电极以及设置在源电极和漏电极之间的沟道部。栅电极设置在沟道部上，并且沿与半导体层的沟道长度方向交叉的方向延伸。绝缘层包括设置在栅电极和沟道部之间的第一区域以及连接到第一区域且从第一区域沿与栅电极的延伸方向相同的方向延伸的第二区域。源电极或漏电极的氢含量在比绝缘层的第二区域的氢含量大大约10％的最大氢含量与比绝缘层的第二区域的氢含量小大约10％的最小氢含量之间的范围内。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107579111A

申请号：

CN201710541480.6

公开（公告）日：

2018-01-12

申请日：

2017-07-05

授权号：

CN107579111B

授权日：

2022-06-03

发明人：

金成虎申旼澈

申请人：

三星显示有限公司

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

刘灿强

优先权：

CN201710541480.6

主分类号：

H01L29/43

IPC分类号：

H01L29/43 H01L29/51 H01L29/786 H01L27/12