薄膜晶体管阵列面板

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。阵列面板包括基本一致的存储电容，且以相对小的面积容许相对大的电容。在一些实施例中，该面板包括：基板；在基板上的多个半导体区域，其包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域；栅极绝缘层，其覆盖至少部分半导体区域；包括栅极电极的栅极线，其至少部分地交迭沟道区域且形成在栅极绝缘层上；包括存储电极的存储线，其至少部分地交迭存储区域且形成在栅极绝缘层上；包括源极电极的数据线，其连接到源极区域且形成在栅极绝缘层上；漏极电极，其连接到漏极区域和虚设区域且形成在栅极绝缘层上；以及象素电极，其连接到漏极电极。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管阵列面板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828910A

申请号：

CN200610006160.2

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

文国哲朱胜镛金一坤朴泰炯

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒

优先权：

CN200610006160.2

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12