有机薄膜晶体管，其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

提供一种有机TFT、其制造方法和具有该有机TFT的平板显示器。有机TFT包括形成在基板表面上的源极和漏极、包括源极区域和漏极区域以及位于源极和漏极上的沟道区域的有机半导体层、位于上述有机半导体层上方的栅极、和位于有机半导体层表面上的第一绝缘层，其中至少在部分有机半导体层和第一绝缘层中、在包括源极和漏极区域以及沟道区域的活性区域的外侧形成通孔。

基本信息

专利标题：

有机薄膜晶体管，其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1808737A

申请号：

CN200510131536.8

公开（公告）日：

2006-07-26

申请日：

2005-11-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨南喆

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

范赤

优先权：

CN200510131536.8

主分类号：

H01L51/05

IPC分类号：

H01L51/05 H01L51/40 H01L27/32

法律状态

2012-11-14 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101462154556
IPC(主分类) : H01L 51/05
专利号 : ZL2005101315368
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星移动显示器株式会社
变更后 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道

2009-12-09 ：

授权

2009-02-25 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20090123

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2006-07-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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