有机薄膜晶体管、其制造方法和平板显示器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外,该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。
基本信息
专利标题 :
有机薄膜晶体管、其制造方法和平板显示器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1790749A
申请号 :
CN200510119451.8
公开(公告)日 :
2006-06-21
申请日 :
2005-11-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
安泽具在本徐旼彻
申请人 :
三星SDI株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
张雪梅
优先权 :
CN200510119451.8
主分类号 :
H01L29/786
IPC分类号 :
H01L29/786 H01L51/05 H01L27/32 H01L21/336 H01L51/40 H05B33/12 H05B33/10
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法律状态
2012-11-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101462154564
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005101194518
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星移动显示器株式会社
变更后 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道水原市
变更后 : 韩国京畿道水原市
号牌文件序号 : 101462154564
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005101194518
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三星移动显示器株式会社
变更后 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道水原市
变更后 : 韩国京畿道水原市
2011-02-02 :
授权
2009-02-18 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20090116
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20090116
2007-12-05 :
实质审查的生效
2006-06-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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