薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器

专利权的终止

摘要

提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828963A

申请号：

CN200610008933.0

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-01-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐旼彻苏明燮具在本杨南喆

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王景朝

优先权：

CN200610008933.0

主分类号：

H01L51/05

IPC分类号：

H01L51/05 H01L51/40 H01L29/786 H01L21/336 H01L27/32