驱动薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示器件
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摘要
本发明公开了一种驱动薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示器件，其中，驱动薄膜晶体管包括：有源层、栅极绝缘层和栅极，其中，有源层中沟道长度L处于35μm至50μm区间范围内。本发明通过制备增加沟道长度，弱化器件本身的沟道长度调制效应，使得驱动薄膜晶体管饱和区的斜率降低，驱动薄膜晶体管的驱动能力增强，器件经过长时间点亮后，驱动薄膜晶体管源漏两端的电压变化幅度减小，减缓了OLED显示器件的电流速率，使得OLED显示器件更长时间的处于较高的亮度状态，改善OLED器件寿命。
基本信息
专利标题 ：
驱动薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109449210A
申请号 ：
CN201811095887.1
公开（公告）日 ：
2019-03-08
申请日 ：
2018-09-19
授权号 ：
CN109449210B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
赵东方刘玉成杜哲徐思维沈志华葛泳
申请人 ：
云谷（固安）科技有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市固安县新兴产业示范区
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴黎
优先权 ：
CN201811095887.1
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/423 H01L27/32 H01L27/12 H01L21/336
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法律状态
2022-06-10 ：
授权
2019-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20180919
申请日 : 20180919
2019-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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