底栅极薄膜晶体管、具有其的平板显示器及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种底栅极薄膜晶体管(TFT)、具有其的平板显示器及其制备方法。TFT包括设置在衬底上的栅电极和设置在栅电极上的栅绝缘层。半导体层设置在栅绝缘层上来从该栅绝缘层上跨过，该半导体层通过金属诱导横向结晶(MILC)技术结晶。内绝缘层设置在半导体层上，并且包括源极和漏极接触孔。源极和漏极接触孔暴露半导体层的一部分，并且从跨过栅电极上的半导体层的至少一条边缘分隔开。源电极和漏电极分别设置在源极和漏极接触孔中半导体层暴露的部分上。半导体层包括对应于暴露在源极和漏极接触孔中的半导体的部分的导电金属诱导结晶(MIC)区域。

基本信息

专利标题：

底栅极薄膜晶体管、具有其的平板显示器及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1761074A

申请号：

CN200510106847.9

公开（公告）日：

2006-04-19

申请日：

2005-09-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李根洙

申请人：

三星SDI株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510106847.9

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L27/00 H01L21/336