多栅极薄膜晶体管
被视为撤回的申请
摘要
有着独立控制电子和空穴注入电荷迁移层的薄膜晶体管。控制是通过面对每个电子和空穴注入极的栅极来实现的。所述各注入极同电荷迁移层邻接并被横向隔开跨过一个电荷迁移层的沟道区以使各自的载流子以相反的方向穿过电荷迁移层。
基本信息
专利标题 ：
多栅极薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88100903A
申请号 ：
CN88100903
公开（公告）日 ：
1988-08-31
申请日 ：
1988-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马尔科姆·詹姆斯·汤普森
申请人 ：
施乐公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴增勇
优先权 ：
CN88100903
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78
法律状态
1990-11-14 ：
被视为撤回的申请
1988-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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