薄膜晶体管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
提供种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108693A
申请号 ：
CN86108693.7
公开（公告）日 ：
1987-08-12
申请日 ：
1986-12-26
授权号 ：
CN1007564B
授权日 ：
1990-04-11
发明人 ：
石原俊一大利博和广冈政昭半那纯一清水勇
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN86108693.7
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2003-02-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1991-01-02 ：
授权
1990-04-11 ：
审定
1989-06-28 ：
实质审查请求
1987-08-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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