薄膜晶体管
实质审查的生效
摘要
一种薄膜晶体管，包括：半导体层、第一栅极、第一栅绝缘层、第二栅极、第三栅极、以及第二栅绝缘层。第一栅极位于半导体层的一侧。第一栅绝缘层位于第一栅极与半导体层之间。第二栅极及第三栅极位于半导体层的另一侧，且第二栅极与第三栅极分离。第二栅绝缘层位于第二栅极及第三栅极与半导体层之间。第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第二栅极于半导体层的正投影，且第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第三栅极于半导体层的正投影。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388627A
申请号 ：
CN202210033671.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范扬顺黄震铄
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210033671.2
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/423
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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