IGZO薄膜晶体管
专利权的保全及其解除
摘要
本申请属于半导体器件技术领域，提供了IGZO薄膜晶体管，通过若干IGZO纳米线形成沟道层，并使得若干IGZO纳米线与经过源极和漏极之间的直线平行，从而使得电子可以直接从源极沿着IGZO纳米线传输到漏极，极大提高了IGZO薄膜晶体管的电迁移率，解决了目前制备的非晶IGZO TFT，存在的稳定性和可靠性都比较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
IGZO薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922196084.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN211265486U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
刘荣跃丁庆王鑫
申请人 ：
深圳市太赫兹科技创新研究院有限公司;华讯方舟科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道宝田一路臣田工业区第37栋二楼东
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡鹏飞
优先权 ：
CN201922196084.1
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L29/10 H01L29/12
法律状态
2021-07-27 ：
专利权的保全及其解除
专利权的保全IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20191210
授权公告日 : 20200814
登记生效日 : 20210630
申请日 : 20191210
授权公告日 : 20200814
登记生效日 : 20210630
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
