三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例涉及三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法。一种三栅极MOS晶体管，其在半导体衬底中制造，半导体衬底包括由电隔离区横向包围的至少一个有源区。在有源区的区域两侧蚀刻沟槽，有源区被配置为形成晶体管的沟道。在每个沟槽的内表面上沉积电隔离层。然后用半传导或导电材料填充每个沟槽，直到有源区的上表面，以在沟道的相对侧上形成相应竖直栅极。然后在晶体管沟道处的有源区的区域的上表面上沉积电隔离层。然后在有源区上表面上形成的电隔离层上沉积至少一种半传导或导电材料，以形成晶体管的水平栅极。
基本信息
专利标题 ：
三栅极MOS晶体管及此类晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335179A
申请号 ：
CN202111154062.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·马扎基R·盖伊
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202111154062.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20210929
申请日 : 20210929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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