栅极结构及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明涉及MOS晶体管，其栅极依次包括绝缘层(31)、金属硅化物层(50)、导电密封材料层(53)以及多晶硅层(55)。
基本信息
专利标题 ：
栅极结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101061586A
申请号 ：
CN200580033871.2
公开（公告）日 ：
2007-10-24
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
玛库斯·穆勒彼诺伊特·弗洛米尼
申请人 ：
ST微电子克鲁勒斯图股份公司;皇家飞利浦电子有限公司
申请人地址 ：
法国克鲁勒斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李德山
优先权 ：
CN200580033871.2
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L21/8238
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183762539
IPC(主分类) : H01L 29/49
专利申请号 : 2005800338712
公开日 : 20071024
号牌文件序号 : 101183762539
IPC(主分类) : H01L 29/49
专利申请号 : 2005800338712
公开日 : 20071024
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2007-10-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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