栅极结构

授权

摘要

本实用新型公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上，其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部位的厚度大于所述第二介电层位于所述有源区上的部位的厚度、一导电层位于所述第二介电层上、一阻障层位于所述导电层上、一金属层位于所述阻障层上，其中所述阻障层围绕在所述金属层的底面与侧壁上、以及一氮化硅层位于所述金属层上。本实用新型具有特殊的栅极介电层设计，可以抑制GIDL问题，同时又不会引起其他不良的影响。

基本信息

专利标题：

栅极结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021019541.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-05

授权号：

CN211929495U

授权日：

2020-11-13

发明人：

张钦福林昭维朱家仪童宇诚

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司

代理人：

王宏婧

优先权：

CN202021019541.6

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/78 H01L21/28