SONOS栅极结构及其形成方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明提供一种SONOS栅极结构及其形成方法，所述SONOS栅极结构，包含：一具有侧壁的栅极图案位于一基底上，其中栅极图案包括一栅极介电层及一栅极电极；一氧化层结构位于基底上及栅极图案的侧壁，其中氧化层结构包括一相对较薄的部分位于基底上，及一相对较厚的部分位于栅极图案的侧壁；以及一捕获侧壁介电层位于邻近栅极图案的侧壁的氧化层结构上。本发明所述SONOS栅极结构及其形成方法，可保持高速的写入/擦除速度，且可降低栅极干扰。

基本信息

专利标题：

SONOS栅极结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1945851A

申请号：

CN200610064964.8

公开（公告）日：

2007-04-11

申请日：

2006-03-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李自强黄俊仁李宗霖

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610064964.8

主分类号：

H01L29/41

IPC分类号：

H01L29/41 H01L29/792 H01L21/28 H01L21/336